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近年来在Light-Sci.Appl.、身高NanoEnergy、身高Adv.Funct.Mater.、ACSAppl.Mater.Interfaces等国际知名学术期刊上发表论文50篇余，论文累计被引1700余次，已获授权中国发明专利15项。为此，米壮研究者制备了如图2a所示的双门控器件，其中石墨烯的电阻反映了R堆叠的双层TMDs的铁电极化。

还练[图文解析]双层TMD晶体结构对称性在电子能带结构和晶体的电子性质中起关键作用。在典型的双栅器件中，身高对角线特征跟踪电荷中性点。

结合PFM结果，米壮这种滞回和跳变特性是由于从MX到XM堆叠构型的变化而产生的铁电极化反转造成的，反之亦然。底栅扫描显示两个电阻峰，还练每个峰的高度随扫描方向而变化。